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MÓDULO DE POTENCIAMG10Q6ES50A TOSHIBA
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IGBT
SKU
MG10Q6ES50A
Categorías
IGBT
,
MÓDULO
,
TOSHIBA
Descripción
MÓDULO IGBT DE CANAL N DE SILICIO
Características
Los electrodos están aislados de la caja
Alta impedancia de entrada 6 IGBT integrados en 1 paquete