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MÓDULO DE POTENCIA MG10Q6ES50A TOSHIBA

MÓDULO IGBT DE CANAL N DE SILICIO
Características
Los electrodos están aislados de la caja
Alta impedancia de entrada 6 IGBT integrados en 1 paquete

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SKU MG10Q6ES50A Categories CHANNEL IGBT, MÓDULO, TOSHIBA

Descripción

Descripción

El módulo MG10Q6ES50A de Toshiba cuenta con un alta eficacia en los sistemas electrónicos y frecuencias de alta conmutación, por su capacidad de alta potencia. El módulo IGBT es la unión entre los transistores de efecto de campo y los transistores de unión bipolar.