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MÓDULO DE POTENCIAMG100Q2YS42 TOSHIBA

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IGBT

SKU MG100Q2YS42 Categorías , ,
  • MÓDULO IGBT DE CANAL N DE SILICIO
  • Características
  • Los electrodos están aislados de la caja
  • Alta impedancia de entrada
  • Modo de mejora
  • Alta velocidad : tf=0.5us (Máx.) trr=0.5us (Máx.)
  • Voltaje de baja saturación: VCE (sat) = 4,0 V (máx.)
  • Incluye medio puente completo en un paquete